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參數資料
| 型號： | SPD3051 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 550 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | SPD3051 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD31508 | 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD30508X2C | 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD32008 | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD31008X2A | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD3051 | 15 A, 550 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPD30N03 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
| SPD30N03L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
| SPD30N03S2L-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPD30N03S2L-07 G | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPD30N03S2L-07_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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