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參數資料
| 型號： | SPI80N03S2L-05 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | SPI80N03S2L-05 |
2003-05-09
Page 1
SPI80N03S2L-03
SPP80N03S2L-03,SPB80N03S2L-03
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
30
V
m
A
2.8
80
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
P- TO220 -3-1
Marking
2N03L03
2N03L03
2N03L03
Type
SPP80N03S2L-03
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67040-S4248
SPB80N03S2L-03
SPI80N03S2L-03
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Q67040-S4259
Q67042-S4078
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Value
80
80
Unit
A
T
C
=25°C
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
810
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
I
S
=80A,
V
DS
=24V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPI80N03S2-03 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP80N03S2-03 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB80N03S2-03 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB80N03S2L-06 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP80N03S2L-05 | OptiMOS Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPI80N03S2L-06 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPI80N04S2-04 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPI80N04S2-H4 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor |
| SPI80N06S-08 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPI80N06S08NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
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