欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: SPI80N06S2L-05
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Silver Mica Capacitor; Capacitance:15pF; Capacitance Tolerance:+/- 0.5pF; Series:CD6; Voltage Rating:500VDC; Capacitor Dielectric Material:Mica; Termination:Radial Leaded; Lead Pitch:4.4mm; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
中文描述: 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數: 1/8頁
文件大?。?/td> 415K
代理商: SPI80N06S2L-05
2003-05-09
Page 1
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
55
V
m
A
4.5
80
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
P- TO220 -3-1
Marking
2N06L05
2N06L05
2N06L05
Type
SPP80N06S2L-05
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67040-S4246
SPB80N06S2L-05
SPI80N06S2L-05
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Q67040-S4256
Q67060-S7422
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Value
80
80
Unit
A
T
C
=25°C
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
800
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
I
S
=80A,
V
DS
=44V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
相關PDF資料
PDF描述
SPP80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N06S2L-06 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N06S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N06S2L-09 OptiMOS Power-Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
SPI80N06S2L-11 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPI80N08S2-07 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPI80N08S2-07R 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPI80N10L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPI-81 制造商:Cooper Tools / Weller 功能描述:Bulk 制造商:Cooper Hand Tools / Weller 功能描述:SOLDERING IRON EURO PLUG 75W 制造商:WELLER 功能描述:SOLDERING IRON, EURO PLUG, 75W
主站蜘蛛池模板: 普宁市| 虎林市| 张家界市| 南郑县| 宝坻区| 红安县| 平塘县| 自贡市| 荣成市| 乌拉特前旗| 鱼台县| 龙岩市| 吉木乃县| 双牌县| 乡宁县| 灌阳县| 长白| 安庆市| 渝中区| 台安县| 鞍山市| 漳州市| 津市市| 固原市| 山东| 阿拉善右旗| 静安区| 莱西市| 武胜县| 宝应县| 霍山县| 宁安市| 岢岚县| 巴南区| 连云港市| 东乡| 长葛市| 天峻县| 张家界市| 花莲县| 郑州市|