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參數資料
| 型號： | SPLE03N81S9 |
| 元件分類： | 激光器 |
| 英文描述： | 808 nm, LASER DIODE |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | SPLE03N81S9 |
SPL E03N81S9
Aktiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 450 W qcw bei 808 nm
Actively Cooled Diode Laser Bar, 450 W qcw at 808 nm
Vorlufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet
2007-07-18
1
Besondere Merkmale
Laserstack mit 3 Laserbarren auf
Mikrokanalkühler
Für quasi-kontinuierlichen Betrieb (QCW)
Zuverlssiges Halbleiter-Material mit
Mindest-Lebensdauer von 10.000 h,
typischerweise >50.000 h
Geringer thermischer Widerstand
Geringer smile (< 3 m), geringe mechanische
Toleranzen
Ein-/Auslass für Kühlwasser an Unterseite
Geringer Abstand der Laserbarren (1,6 mm)
Einfacher Anschluss durch optionalen
Wasserverteiler
Anwendungen
Pumpen von Festkrperlasern
Direkte industielle Anwendungen (Lten,
Oberflchenbehandlung,...)
Medizinische Anwendungen
Druckanwendungen
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte,
nicht
sichtbare
Infrarot-
Strahlung, die gefhrlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten,
müssen
gem
den
Sicherheits-
richtlinien
der
IEC-Norm
60825-1
behandelt
werden
Features
Micro channel cooled laser stack with 3 bars
For quasi continuous wave (qcw) operation
Highly reliable semiconductor material with
minimal life time of 10,000 h,
typically >50,000 h
Low thermal resistance
Low smile (< 3
μm) and low mechanical
tolerances
Coolant inlet/outlet at bottom.
Low bar-to-bar distance of 1.6 mm
Optional manifold for easy usage
Applications
Pumping of solid state lasers
Direct industrial applications (soldering, surface
treatment,…)
Medical applications
Printing applications
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPM2001A | GaAs MMIC For 1.9GHz PHS Transmitting Amplifier(砷化鎵 1.9GHz PHS發射放大器) |
| SPR1002C | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SPR12 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SPST80R-3 | 1 ELEMENT, 80.75 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| SPT5310SIP | PARALLEL, WORD INPUT LOADING, 0.013 us SETTLING TIME, 12-BIT DAC, PQCC28 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPLE03N91G2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Aktiv gekuhlter Diodenlaser-Barren, 180 W cw bei 915 nm |
| SPLE10N81G2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Actively Cooled Diode Laser Bar, 600 W cw at 808 nm |
| SPLE10N94G2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Actively Cooled Diode Laser Bar, 600 W cw at 940 nm |
| SPLE20N81G2 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:Actively Cooled Diode Laser Bar, 1200 W cw at 808 nm |
| SPLFA100F-12 | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述: |
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