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參數資料
型號: SPP70N10L
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: SIPMOS Power-Transistor
中文描述: SIPMOS功率晶體管
文件頁數: 1/8頁
文件大?。?/td> 514K
代理商: SPP70N10L
2001-08-24
Page 1
Preliminary data
SPI70N10L
SPP70N10L,SPB70N10L
SIPMOS
=
Power-Transistor
Feature
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
100
V
16
m
70
A
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
P-TO262-3-1
Marking
70N10L
70N10L
70N10L
Type
SPP70N10L
Package
P-TO220-3-1
Ordering Code
Q67040-S4175
SPB70N10L
P-TO263-3-2
Q67040-S4170
SPI70N10L
P-TO262-3-1
Q67060-S7428
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
A
Continuous drain current
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Pulsed drain current
I
D
70
50
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
280
I
D
=70 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
700
mJ
E
AR
d
v
/d
t
25
I
S
=70A,
V
DS
=0V,
d
i
/d
t
=200A/μs
Gate source voltage
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
250
V
Power dissipation
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
W
T
j ,
T
stg
-55... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
相關PDF資料
PDF描述
SPB70N10L SIPMOS Power-Transistor
SPI70N10L SIPMOS Power-Transistor
SPP70N10L 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP47N10L 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術制作的 100-V MOS 型晶體管)
SPP47N10 S-FET technology 100-V MOS transistors( 采用S-FET 技術制作的 100-V MOS 型晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
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