- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄376419 > SPP80N08S2-07 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS Power-Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SPP80N08S2-07 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | SPP80N08S2-07 |
2003-05-09
Page 1
SPI80N08S2-07
SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
75
V
m
A
7.1
80
Feature
N-Channel
Enhancement mode
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
P- TO220 -3-1
Marking
2N0807
2N0807
2N0807
Type
SPP80N08S2-07
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67040-S4263
SPB80N08S2-07
SPI80N08S2-07
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Q67040-S4264
Q67060-S6082
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Value
80
80
Unit
A
T
C
=25°C
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
810
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
I
S
=80A,
V
DS
=60V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB80N08S2-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB80N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP80N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPM3202 | SPDT Switch |
| SPM3205 | SPDT Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPP80N08S2-07 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| SPP80N08S2L-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPP80N08S2L-07 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| SPP80N08S2L07NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SPP80N10L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。