| 型號： | SQ2360EES-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 |
| 特色產品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫歐 @ 6A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | SQ2360EES-T1-GE3DKR |