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參數(shù)資料
型號(hào): SQ3456BEV-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 5/11頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
特色產(chǎn)品: SQ Series Power MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫歐 @ 6A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 370pF @ 15V
功率 - 最大: 4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-74,SOT-457
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SQ3456BEV-T1-GE3DKR
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