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參數資料
型號: SQ3460EV-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
特色產品: SQ Series Power MOSFETs
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫歐 @ 5.1A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1060pF @ 10V
功率 - 最大: 3.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-74,SOT-457
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 標準包裝
其它名稱: SQ3460EV-T1-GE3DKR
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