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參數資料
型號: SQD50P04-09L-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 40V TO252
標準包裝: 2,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.4 毫歐 @ 17A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6675pF @ 20V
功率 - 最大: 136W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 帶卷 (TR)
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