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參數(shù)資料
型號(hào): SQJ469EP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 32A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 10.2A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 40V
功率 - 最大: 100W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)
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