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參數資料
型號: SQJ970EP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 6/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL N-CH 40V PPAK 8SOIC
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 10.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2165pF @ 20V
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8 雙
供應商設備封裝: PowerPAK? SO-8 Dual
包裝: 帶卷 (TR)
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