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參數資料
型號: SQS400EN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 2/13頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 16A TO263
標準包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 12A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1205pF @ 20V
功率 - 最大: 62.W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263(D2Pak)
包裝: 帶卷 (TR)
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