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參數資料
型號: SRP100B-E3
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 329K
代理商: SRP100B-E3
www.vishay.com
2
Document Number 88743
10-Oct-05
SRP100A thru SRP100K
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Note: (1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
SRP100A SRP100B SRP100D SRP100G SRP100J
SRP100K
Unit
Maximum
instantaneous
forward voltage
at 1.0 A
VF
1.3
V
Maximum DC reverse
current at rated DC
blocking voltage
TA = 25 °C
TA = 100 °C
IR
10
200
A
Maximum reverse
recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0
A, Irr = 0.25 A
trr
100
200
ns
Typical junction
capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
12
pF
Parameter
Symbol
SRP100A SRP100B SRP100D SRP100G SRP100J SRP100K
Unit
Typical thermal resistance (1)
RθJA
41
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curves
Ambient Temperature (°C)
A
v
erage
F
or
w
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
0.375" (9.5mm)
Lead Length
Capacitive Load
5.0
10
20
I(pk)
I(AV)
=
π
=
I(pk)
I(AV)
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
For
w
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
pk
(Half
Sine-
W
a
v
e)
1
10
100
5.0
10
15
20
25
30
Number of Cycles at 60 Hz
TA = 75 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
1.0 Cycle
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