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參數資料
| 型號： | SS3H9 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封裝： | PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | SS3H9 |
SS3H9 & SS3H10
Document Number 88752
24-Oct-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
1
DO-214AB (SMC)
New Product
High-Voltage Surface Mount Schottky Rectifier
High Barrier Tecnology for improved high
temperature performance
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
3.0 A
VRRM
90 V, 100 V
IFSM
100 A
VF
0.65 V
IR
20 A
Tj max.
175 °C
Features
Low profile package
Ideal for automated placement
Guardring for overvoltage protection
Low power losses, high efficiency
Low forward voltage drop
Low leakage current
High surge capability
Meets MSL level 1, per J-STD-020C
Solder Dip 260 °C 40 seconds
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters, free
wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications
Mechanical Data
Case: DO-214AB (SMC)
Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes the cathode end
Maximum Ratings
TA = 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Symbol
SS3H9
SS3H10
Unit
Device marking code
MS9
MS10
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
90
100
V
Working peak reverse voltage
VRWM
90
100
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
90
100
V
Maximum average forward rectified current at: TL = 115 °C
IF(AV)
3.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
100
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 s, 1 KHz
IRRM
1.0
A
Critical rate of rise of reverse voltage
dv/dt
10000
V/s
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 65 to + 175
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS3H10-HE3 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SS3H9-E3 | 3 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SS3P5L-M3/86A | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| SS3P5LHM3/86A | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| SS3P5LHM3/87A | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SS3H9/59T | 功能描述:肖特基二極管與整流器 90 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS3H9/9AT | 功能描述:肖特基二極管與整流器 90 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS3H9/9CT | 功能描述:肖特基二極管與整流器 90 Volt 3.0 Amp 100 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS3H9_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Surface Mount Schottky Rectifier |
| SS3H9-E3/57T | 功能描述:肖特基二極管與整流器 3.0 Amp 90 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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