- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄85382 > SS5P3HG3/86A (VISHAY SEMICONDUCTORS) 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SS5P3HG3/86A |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | SS5P3HG3/86A |
New Product
SS5P3 & SS5P4
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88982
Revision: 29-Jul-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Lead Temperature (°C)
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
Resistive or Inductive Load
T
L measured
at the Cathode Band Terminal
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
012
3
4
5
6
Average Forward Current (A)
A
v
er
age
P
o
w
er
Loss
(
W
)
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
D = t
p/T
t
p
T
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100
10
1
0.1
0.01
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
1000
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.1
0.01
0.001
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
0.1
1
10
100
1000
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
Junction to Ambient
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMV1412BH | 10 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMV20434-06 | VHF-L BAND, 6.5 pF, 15 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMV2105 | 15 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMV2111-01 | 47 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SMV2115-09 | 100 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SS5P3HM3/86A | 功能描述:肖特基二極管與整流器 5.0 Amp 30 Volt 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS5P3HM3/87A | 功能描述:肖特基二極管與整流器 5.0 Amp 30 Volt 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS5P3-M3/86A | 功能描述:肖特基二極管與整流器 5.0 Amp 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS5P3-M3/87A | 功能描述:肖特基二極管與整流器 5.0 Amp 30 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SS5P4 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。