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參數資料
| 型號： | SSD2009A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 3 A, 50 V, 0.13 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | SSD2009A |
SSD2009A
50
3.0
2.3
10.0
±
20
2.0
1.3
- 55 to +150
8 SOIC
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
4
3
1
2
5
6
8
7
Top View
N -Channel MOSFET
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
!
Lower R
DS(ON)
!
Improved Inductive Ruggedness
!
Fast Switching Times
!
Low Input Capacitance
!
Extended Safe Operating Area
!
Improved High Temperature Reliability
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current T
A
=25
℃
Continuous Drain Current T
A
=70
℃
Drain Current-Pulsed
①
Gate-to-Source Voltage
Total Power Dissipation ( T
A
=25
℃
)
( T
A
=70
℃
)
Operating and Junction Storage
Temperature Range
Characteristic
Units
V
Symbol
V
DSS
I
D
P
D
A
V
A
℃
W
Part Number
BV
DSS
R
DS(on)
I
D
SSD2009
50V
0.13
3.0A
Product Summary
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Thermal Resistance
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
℃
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
--
62.5
Value
Rev. A1
D
1
,D
2
G
1
,G
2
S
1
,S
2
D
1
,D
2
▼
▼
▼
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSD2011A | Dual P-CHANNEL POWER MOSFET |
| SSD2025 | Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
| SSF10N60B | 600V N-Channel MOSFET |
| SSF17N60A | Advanced Power MOSFET |
| SSF25N40A | Advanced Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SSD2009ATF | 功能描述:MOSFET N-Ch/50V/3a 0.13Ohm@VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSD2010TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSD2011 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO |
| SSD2011A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-CHANNEL POWER MOSFET |
| SSD2011ATF | 功能描述:MOSFET P-Ch/60V/2a/ 0.28Ohm@VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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