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參數(shù)資料
型號: SSG35C60Y
英文描述: TRIAC|600V V(DRM)|35A I(T)RMS|FBASE-R-HW30
中文描述: 可控硅| 600V的五(DRM)的| 35A條口(T)的有效值| FBASE受體- HW30
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 102K
代理商: SSG35C60Y
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSG35C80 TRIAC|800V V(DRM)|35A I(T)RMS|TO-208VARM6
SSH10N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
SSH10N70 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
SSH10N80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
SSH10N90A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
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參數(shù)描述
SSG35C80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|800V V(DRM)|35A I(T)RMS|TO-208VARM6
SSG4224 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
SSG4228 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Dual-N Enhancement Mode Power MOSFET
SSG42N60 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT
SSG42N60N 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:50 AMP 600 VOLTS FAST POWER IGBT
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