- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383833 > SSP7N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SSP7N55 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 550V五（巴西）直| 7A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | SSP7N55 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSP7N80A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| SSPB0015V | Industrial Control IC |
| SSPB0100V | Industrial Control IC |
| SSPB0250V | Industrial Control IC |
| SSPC0015V | Industrial Control IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSP7N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| SSP7N60A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| SSP7N60B | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/7a/1.2Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSP7N60BTSTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| SSP7N80A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
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