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參數(shù)資料
型號: SSR2N55
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 550V五(巴西)直|甲(丁)|至252
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大小: 112K
代理商: SSR2N55
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSU2N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251
SSU2N60 3.3V 32K/64K x 16/18 Dual-Port Static RAM
SSU2N80A PSoC® Mixed-Signal Array
SSU2N90A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-251AA
SSR2N60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSR2N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
SSR2N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-252AA
SSR2N60B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SSR2N60BTF 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/1.8a/5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSR2N60BTM 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/1.8a/5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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