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參數資料
| 型號： | SSS6N80A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220F |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 3.5AI（四）|至220F |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 322K |
| 代理商： | SSS6N80A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSS7N60B | 600V N-Channel MOSFET |
| SSP7N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| SSP7N60B | 600V N-Channel MOSFET |
| SSS7N80A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220F |
| SSS80N06A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220F |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SSS6N90A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| SSS70N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| SSS70N10A | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSS7N55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| SSS7N60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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