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參數資料
| 型號： | SSS7N55 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | SSS7N55 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSS7N60 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| SSS7N60A | ADVANCED POWER MOSFET |
| SST201 | N-Channel JFETs |
| SST202 | N-Channel JFETs |
| SST204 | N-Channel JFETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SSS7N60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| SSS7N60A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| SSS7N60B | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/4a/1.2Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSS7N60BYDTU | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/4a/1.2 Ohm MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSS7N80A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220F |
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