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參數資料
| 型號： | SST-2008-T-12-L |
| 廠商： | SAMTEC INC |
| 元件分類： | 插座 |
| 英文描述： | PGA160, IC SOCKET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SST-2008-T-12-L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST-2009-G-32-L | PGA180, IC SOCKET |
| SST-2008-TT-30-L | PGA160, IC SOCKET |
| SST-2008-S-12-L | PGA160, IC SOCKET |
| SST-1915-GT-32-L | PGA285, IC SOCKET |
| SST-2007-GT-14-L | PGA140, IC SOCKET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SST200A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel JFETs |
| SST200A-T1 | 功能描述:JFET LOW VOLT RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200A-T1-E3 | 功能描述:JFET Low Volt RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200-T1 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST200-T1-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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