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參數資料
| 型號： | SST-2018-GT-10-L |
| 廠商： | SAMTEC INC |
| 元件分類： | 插座 |
| 英文描述： | PGA360, IC SOCKET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SST-2018-GT-10-L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST-2019-GG-11-L | PGA380, IC SOCKET |
| SIP-1X29-011B | SIP29, IC SOCKET |
| SST-1806-ST-02-L | PGA108, IC SOCKET |
| SST-1807-ST-35-L | PGA126, IC SOCKET |
| SST-1812-GT-03-L | PGA216, IC SOCKET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SST201-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST201-T1 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST201-T1-E3 | 功能描述:JFET 25V 0.7mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST201-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:JFET |
| SST202 | 功能描述:JFET 40V 0.8mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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