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參數(shù)資料
| 型號： | SST12LP17E-QU8E |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RF PWR AMP 802.11B/G/N 8UDFN |
| 特色產(chǎn)品： | SST12LP17E/18E RF Power Amplifiers |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 頻率： | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| P1dB： | 24dBm |
| 增益： | 29dB |
| RF 型： | 802.11b/g/n |
| 電源電壓： | 3.3V |
| 封裝/外殼： | 8-UDFN |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SST12LP17E-QU8EDKR |
Silicon Storage Technology, Inc.
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Fall 2010
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| X-10G-B | SWITCH BASIC SPDT 10A SCREW |
| MAX2661EUT+T | IC UPCONVERTER SOT23-6 |
| SST12LP07-QVCE-MM007 | IC RF PWR AMP 802.11G 16-QFN |
| LP0805A1880AWTR | LOW PASS FILTER 1880MHZ 0805 SMD |
| 636L3C001M84320 | OSCILLATOR 1.8432 MHZ 3.3V SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST12LP17E-XX8E | 功能描述:功率放大器 WLAN 11b/g/n Fully-integrated PA RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝: |
| SST12LP18E | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier |
| SST12LP18E-QX8E | 功能描述:功率放大器 WLAN 11b/g/n PA (Low Current) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝: |
| SST12LP19E | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier |
| SST12LP19E-QX6E | 功能描述:功率放大器 WLAN 11b/g/n PA Low Current RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝: |
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