- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄31356 > SSTDPAD5Y-E3 (VISHAY SILICONIX) 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SSTDPAD5Y-E3 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | SSTDPAD5Y-E3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSTDPAD5YT1-E3 | 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SSTPAD10-SOT-23 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| JPAD1-TO-92 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92 |
| JPAD10-TO-92 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92 |
| SSTPAD20-SOT-23 | 0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SSTE | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIERS |
| SSTE18W | 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT; External Height - Metric:32mm ;RoHS Compliant: NA |
| SSTE24W | 制造商:STIG RAVN 功能描述:DRAWER UNIT |
| SSTE32882HLBAKG | 功能描述:寄存器 DDR3 LV REGISTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
| SSTE32882HLBAKG8 | 功能描述:寄存器 DDR3 LV REGISTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。