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參數資料
| 型號： | STB33N10 |
| 英文描述： | OVERCURRENT PTC 1206L025YRT SMD, 1206 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直|第33A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 510K |
| 代理商： | STB33N10 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB33N10-1 | 1206L025, OVERCURRENT PTC |
| STB3NB60T4 | FUSE W/HOLDER, 5.0A, 125V, SLO-BLO, SMT |
| STB3NC60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA |
| STB3NC60T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-263AB |
| STB3NC90ZT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STB33N10-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-262VAR |
| STB33N60DM2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB33N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1781pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB33N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB34N50DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1850pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
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