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參數資料
| 型號： | STBV32 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓快速開關NPN電源晶體管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | STBV32 |
STBV32
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
ST13003SILICON IN TO-92 PACKAGE
I
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREADOF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLEOPERATION
I
VERYHIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
I
ELECTRONICBALLASTSFOR
FLUORESCENT LIGHTING
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage
Multi
Epitaxial
Planar
switching speeds and medium voltagecapability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintainingthe wide RBSOA.
The STBV32 is designed for use in compact
fluorescentlamp application.
technology
for
high
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
February 2000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
700
400
9
1.5
3
0.75
1.5
1.1
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
TO-92
1/7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| STBV42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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