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參數資料
| 型號： | STD45NF03L |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 30V - 0.011 ohm - 45A DPAK STripFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | ? -通道30V的- 0.011歐姆-第45A條的DPAK STripFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | STD45NF03L |
STD45NF03L
N - CHANNEL 30V - 0.011
- 45A DPAK
STripFET
POWER MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.011
I
LOW THRESHOLD DRIVE
I
ADD SUFFIX”T4” FORORDERING IN TAPE
& REEL
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest developmentof
STMicroelectronics
unique
Size
” strip-based process. The resulting transi-
stor shows extremelyhigh packing density forlow
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturingreproducibility.
”Single
Feature
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
September 1999
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Parameter
Value
30
30
±
20
45
31.5
180
55
0.37
200
-65 to 175
175
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
E
AS
(
1
)
T
stg
T
j
(
1
)
starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 22.5A, V
DD
= 20V
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.013
I
D
STD45NF03L
30 V
45 A
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD4NS25 | N-CHANNEL 250V - 0.9ohm - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
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| STD95NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0039ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STD460BLK | 功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X .46" BLACK RoHS:否 制造商:Bivar 產品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk |
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