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參數資料
| 型號： | STD4NB40 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強模式MOSFET的） |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | STD4NB40 |
STD4NB40
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PowerMESH
MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 1.47
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERYLOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATECHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process,
SGS-Thomson
advanced
family
of
power
outstanding
performances.
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest R
DS(on)
per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
has
designed
MOSFETs
The
new
an
with
patent
APPLICATIONS
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE
POWERSUPPLIES AND MOTOR DRIVE
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
400
V
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
400
V
V
GS
±
30
V
I
D
3.7
A
I
D
2.3
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
14.8
A
P
tot
50
W
Derating Factor
0.4
W/
o
C
dv/dt(
1
)
Peak Diode Recovery voltage slope
4.5
V/ns
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
150
(
1
) I
SD
≤
3.7A,di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
February 1998
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 1.8
I
D
STD4NB40
400 V
3.7 A
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix”-1”)
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD4NC50 | N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET |
| STD4NK50Z-1 | Multiconductor Paired ScTP Patch Cable; Number of Conductors:8; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:7 x 32; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:4; Conductor Material:Copper |
| STD4NK50 | 10 AMP DPDT MINIATURE POWER RELAY |
| STP4NK50ZFP | N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP4NK50Z | N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STD4NB40-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 1.47ohm - 4A DPAK/IPAK PowerMESH⑩ MOSFET |
| STD4NC50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 1.3 ohm - 3.7 A TO-251 PowerMESH MOSFET |
| STD4NC50_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 1.3W - 3.7A DPAK/IPAK PowerMesh⑩II MOSFET |
| STD4NC50-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.7A I(D) | TO-251AA |
| STD4NK100Z | 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，SuperMESH? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 歐姆 @ 1.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:601pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
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