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參數資料
| 型號： | STD7NK40Z-1 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道400V - 0.85ohm - 5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK齊納保護SuperMESH⑩功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 605K |
| 代理商： | STD7NK40Z-1 |
1/13
September 2002
STP7NK40Z - STP7NK40ZFP
STD7NK40Z - STD7NK40Z-1
N-CHANNEL 400V-0.85
-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK
Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.85
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
VERY GOOD MANUFACTURING
REPEATIBILITY
DESCRIPTION
The SuperMESH series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established strip-
based PowerMESH layout. In addition to pushing
on-resistance significantly down, special care is tak-
en to ensure a very good dv/dt capability for the
most demanding applications. Such series comple-
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-
cluding revolutionary MDmesh products.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,
ADAPTORS AND PFC
I
LIGHTING
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STP7NK40Z
STP7NK40ZFP
STD7NK40Z
STD7NK40Z-1
400 V
400 V
400 V
400 V
< 1
< 1
< 1
< 1
5.4 A
5.4 A
5.4 A
5.4 A
70 W
25 W
70 W
70 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP7NK40Z
P7NK40Z
TO-220
TUBE
STP7NK40ZFP
P7NK40ZFP
TO-220FP
TUBE
STD7NK40ZT4
D7NK40Z
DPAK
TAPE & REEL
STD7NK40Z-1
D7NK40Z
IPAK
TUBE
TO-220
TO-220FP
1
2
3
1
3
DPAK
3
2
1
IPAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD888 | HIGH CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR |
| STDD15-04WFILM | Resettable Fuse; Series:30R; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:30V; Holding Current:0.9A; Tripping Current:1.8A; Length:12.2mm; Lead Pitch:5.1mm; Initial Resistance Min:0.07ohm; Initial Resistance Max:0.22ohm RoHS Compliant: NA |
| STDD15-04W | LOW CAPACITANCE DETECTION DIODE |
| STDD15-05W | LOW CAPACITANCE DETECTION DIODE |
| STDD15-07S | LOW CAPACITANCE DETECTION DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STD7NK40ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD7NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD7NM50N-1 | 功能描述:MOSFET N Ch 500V 0.70 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD7NM60N | 功能描述:MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD7NM64N | 功能描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:640V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
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