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參數資料
| 型號： | STF40NF06 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 60V - 0.024ohm - 23A - TO-220FP STripFET II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道60V的- 0.024ohm - 23A條-對220FP STripFET二MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 361K |
| 代理商： | STF40NF06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STF6045AF | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):8A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:8A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes |
| STF6045AV | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):8A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:8A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes |
| STF6045DF | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Current, It av:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole; Package/Case:3-TO-92; Peak Surge Current:4A; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:400V RoHS Compliant: Yes |
| STF6045DV | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):1A; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes |
| STF8045AF | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:5mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STF40NF06_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.024ヘ - 23A - TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET |
| STF40NF20 | 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STF42 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR |
| STF42N60M2-EP | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:87 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2370pF @ 100V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 |
| STF42N65M5 | 功能描述:MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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