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參數資料
| 型號： | STGY50NB60HD |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道50A條- 600V的IGBT的MAX247 PowerMESH |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | STGY50NB60HD |
STGY50NB60HD
N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
PowerMESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGEDROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
CO-PACKAGEDWITH TURBOSWITCH
ANTIPARALLELDIODE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”H” identifies a family
optimized to achieve very low switching times for
high frequencyapplications(<120kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
WELDING EQUIPMENTS
I
SMPSAND PFC IN BOTH HARDSWITCH
AND RESONANTTOPOLOGIES
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
)
P
tot
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
600
±
20
100
V
V
A
50
A
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
400
A
250
W
2
W/
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
o
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGY50NB60HD
600 V
< 2.8 V
50 A
June 1999
1
23
MAX247
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH4N90 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH4N90FI | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH51002Z | 1300nm Laser in Coaxial TO-Package |
| STH9NA60FI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STH9NA80 | N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STGY50NC60WD | 功能描述:IGBT 晶體管 600V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGY80H65DFB | 功能描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開關能量:2.1mJ（開），1.5mJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:414nC 25°C 時 Td（開/關）值:84ns/280ns 測試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30 |
| STGYA120M65DF2 | 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247? 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:管件 零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):360A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，120A 功率 - 最大值:625W 開關能量:1.8mJ（開），4.41mJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關）值:66ns/185ns 測試條件:400V，120A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:202ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 裸露焊盤 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:600 |
| STH | 制造商:Panduit Corp 功能描述: |
| STH 24D12 | 制造商:Teledyne Relays 功能描述:RELAY SSR 13MA 32V DC-IN 12A 280V AC-OUT 4-PIN - Bulk |
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