型號: | STH221 |
英文描述: | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:170V; Capacitance:60pF; Holding Current:50mA; Leakage Current:5uA; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V |
中文描述: | ISDN線路接口 |
文件頁數: | 1/30頁 |
文件大小: | 822K |
代理商: | STH221 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
STH26N25 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218 |
STH26N25FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR |
STH45N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-218 |
STH45N10FI | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
STH4N80 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:150V; Holding Current:150mA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
STH2387/128 | 制造商:STEC Inc 功能描述: |
STH240N10F7-2 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11550pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1 |
STH240N10F7-6 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11550pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 |
STH240N75F3-2 | 功能描述:MOSFET N-Ch 75V 2.6mOhm 180A STripFET III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STH240N75F3-6 | 功能描述:MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |