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參數資料
| 型號： | STI205 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 200伏五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至37VAR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | STI205 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI30 | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount |
| STI305 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR |
| STI50 | DIODE TVS 160V 600W BIDIR 5% SMB |
| STI505 | DIODE TVS 180V 600W BIDIR 5% SMB |
| STIP10 | SURGE ARRESTER GDT 90V SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STI20N65M5 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) V |
| STI20NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI21N65M5 | 功能描述:MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI21NM60ND | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-0.17ohms FDMesh 17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STI22NM60N | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:Mdmesh™ II 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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