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參數資料
| 型號： | STI40 |
| 英文描述： | DIODE TVS 15V 600W UNI-DIR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至5 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | STI40 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI405 | DIODE TVS 6.8V 600W BI-DIR |
| STI60 | DIODE TVS 47V 600W UNIDIR 5% SMB |
| STI605 | DIODE TVS 51V 600W BIDIR 5% SMB |
| STI70 | DIODE TVS 600W 530V UNI 5% SMB |
| STI705 | DIODE TVS 62V 600W BIDIR 5% SMB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STI4003D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| STI4006 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI4007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66 |
| STI400N4F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:377nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262） 標準包裝:50 |
| STI401 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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