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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STL27N15 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 150V - 0.045 W - 27A PowerFLAT LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
| 中文描述： | N溝道150伏- 0.045糯-第27A條的PowerFLAT低MOSFET的柵極電荷STripFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | STL27N15 |
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TARGET DATA
June 2003
This is preliminary information on a new product forseen to be developped. Details are subject to change without notice
STL27N15
N-CHANNEL 150V - 0.045
- 27A PowerFLAT
LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.045
I
IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO
I
VERY LOW PROFILE PACKAGE (1mm MAX)
I
VERY LOW THERMAL RESISTANCE
I
VERY LOW GATE CHARGE
DESCRIPTION
This MOSFET series realized with STMicroelectronics
unique "STripFET" process has specifically been
designed to minimize input capacitance and gate charge.
It’s therefore suitable as primary switch in advanced high
efficiency, high frequency isolated DC-DC converter for
telecom
an
computer
PowerFLAT package allows e significant reduction in a
board space without compromising performance.
application.
The
new
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY ISOLATED DC-DC
CONVERTERS
I
TELECOM AND BATTERY CHARGER
ADAPTOR
I
SYNCHRONOUS RECTIFICATION
Ordering Information
SALES TYPE
STL27N15
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STL15N15
150 V
<0.060
27 A
(1)
MARKING
L27N15
PACKAGE
PowerFLAT
PACKAGING
TAPE & REEL
PowerFLAT
(6x5)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C (Steady State)
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM(3)
Drain Current (pulsed)
P
tot(2)
Total Dissipation at T
C
= 25°C (Steady State)
P
tot(1)
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt
(5)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
Parameter
Value
150
150
± 20
6
4
24
4
80
0.03
TBD
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
W/°C
V/ns
-55 to 150
°C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STL71 | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STL71L71H | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STL71L71L | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| STL8NH3LL | N-CHANNEL 30 V - 0.012 з - 8 A PowerFLAT⑩ ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET⑩ MOSFET |
| STLC1510 | NorthenLite G.lite DMT Transceiver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STL28NF3LL | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 28 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STL2N80K5 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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| STL30NF3LL | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.008ohm - 30A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩ MOSFET |
| STL30P3LLH6 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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