- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382563 > STP3NC90ZFP (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP3NC90ZFP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| 中文描述： | N溝道900V - 3.2ohm - 3.5A的TO-220/TO-220FP/I2PAK齊保護(hù)的PowerMESH⑩三MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | STP3NC90ZFP |
1/11
January 2001
STP3NC90Z - STP3NC90ZFP
STB3NC90Z-1
N-CHANNEL 900V - 3.2
- 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK
Zener-Protected PowerMESHIII MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 3.2
I
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE
TO - SOURCE ZENER DIODES
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The third generation of MESH OVERLAY
Power
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed
on-resistance per unit area while integrating back-to-
back Zener diodes between gate and source. Such ar-
rangement gives extra ESD capability with higher rug-
gedness performance as requested by a large variety
of single-switch applications.
APPLICATIONS
I
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION
I
WELDING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STP3NC90Z/FP
900V
< 3.5
3.5 A
STB3NC90Z-1
900V
< 3.5
3.5 A
Parameter
Value
Unit
STP(B)3NC90Z(-1)
STP3NC90ZFP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
G
)
P
TOT
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
900
V
900
V
Gate- source Voltage
± 25
V
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
3.5
3.5(*)
A
2.2
2.2(*)
A
Drain Current (pulsed)
14
14
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
100
35
W
0.8
0.28
W/°C
I
GS
Gate-source Current (*)
±50
mA
V
ESD(G-S)
dv/dt
V
ISO
T
stg
T
j
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15K
)
Peak Diode Recovery voltage slope
2.5
KV
3
V/ns
Insulation Withstand Voltage (DC)
--
2000
V
Storage Temperature
–65 to 150
°C
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
(1)I
SD
≤
3.5A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
(*)
.
Limited only by maximum temperature allowed
TO-220
2
3
TO-220FP
123
I2PAK
(Tabless TO-220)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP3NC90Z | N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STP40N20 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| STP4020PQFP | PC Card Support |
| STP40N05 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
| STP40N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP3NK100Z | 功能描述:MOSFET 1000V 5.4Ohm 2.5A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP3NK50Z | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.3 歐姆 @ 1.15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP3NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP3NK60ZFP | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP3NK60ZFP | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。