型號: | STP40N06LFI |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220VAR |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 22A條(丁)|對220VAR |
文件頁數: | 1/13頁 |
文件大小: | 348K |
代理商: | STP40N06LFI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STP40N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
STP40N10FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220VAR |
STP40NF12 | CONNECTOR ACCESSORY |
STP40NS15 | N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-220 MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
STP40NF10 | CONNECTOR ACCESSORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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STP40N10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
STP40N10FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220VAR |
STP40N20 | 功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP40N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.078 OHM TYP., 34 A MDMESH II PLUS(TM) LOW - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.078 Ohm, 34A, MDmesh II Plus,N-CHL,TO-220. 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Single N-Channel 650 V 0.088 Ohm 250 W Through Hole Power Mosfet - TO-220-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh II Plus(TM) low Qg Power MOSFET in TO-220 package |
STP40N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):99 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |