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參數資料
| 型號： | STP4N80XI |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩壓二極管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 291K |
| 代理商： | STP4N80XI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP4N90 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP4N90FI | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP5N50 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP5N50FI | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| STP5N60 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STP4N90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-220 |
| STP4N90FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-220VAR |
| STP4N90K5 | 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:173pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 |
| STP4NA100 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STP4NA40 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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