型號: | STP80NF55-07 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-Channel 55V-0.0055Ω-80A- TO-220 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
中文描述: | N溝道55V的-0.0055Ω- 80A條至220 STripFET功率MOSFET(不適用溝道功率MOSFET的) |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大小: | 37K |
代理商: | STP80NF55-07 |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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STP80NF55-08AG | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):112nC @ 10V Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 |
STP80NF55L-06 | 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STP80NF55L-08 | 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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