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參數(shù)資料
型號: STP80NF55-07
廠商: 意法半導體
英文描述: N-Channel 55V-0.0055Ω-80A- TO-220 STripFET Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述: N溝道55V的-0.0055Ω- 80A條至220 STripFET功率MOSFET(不適用溝道功率MOSFET的)
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 37K
代理商: STP80NF55-07
STP80NF55-07
N - CHANNEL 55V - 0.0055
- 80A - TO-220
STripFET
” POWER MOSFET
TARGET DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.0055
I
EXCEPTIONAL dv/dtCAPABILITY
I
100%AVALANCHE TESTED
I
APPLICATIONORIENTED
CHARACTERIZATION
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the second generation of
STMicroelectronics
unique
Size
” strip-based
process. The resulting
transistor shows extremely high packing density
for
low
on-resistance,
characteristics and less critical alignment steps
therefore
a
remarkable
reproducibility.
”Single
Feature
rugged
avalanche
manufacturing
APPLICATIONS
I
SOLENOID AND RELAYDRIVERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
DC-DC CONVERTERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
September 1998
1
2
3
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
55
V
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
55
V
±
20
80
V
I
D
A
I
D
57
A
I
DM
(
)
P
tot
320
A
160
W
1.06
W/
o
C
dv/dt
Peak Diode Recovery voltage slope
7
V/ns
o
C
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
-65 to 175
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
(
1
) I
SD
80 A, di/dt
300 A/
μ
s, V
DD
V
(BR)DSS
, T
j
T
JMAX
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
<0.07
I
D
STP80NF55-07
55 V
80 A
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STPAC02F1 RF DETECTOR FOR POWER AMPLIFIER CONTROL WITH INTERNAL TEMPERATURE COMPENSATION IPADTM
STPR2420 ULTRA-FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
STPR310D ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
STPR310F ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
STPR320D ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP80NF55-08 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80NF55-08AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):112nC @ 10V Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000
STP80NF55L-06 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80NF55L-08 功能描述:MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP80NF70 功能描述:MOSFET N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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