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參數資料
| 型號： | STS8DNF30L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|配對| N溝道| 30V的五（巴西）直| 8A條（丁）|蘇 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | STS8DNF30L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STS8DNF3LL | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS8DNF3LL_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual N-channel 30V - 0.017OHM - 8A SO-8 Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET |
| STS8DNH3LL | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 30 Volt 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS8DNH3LL_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET? III Power MOSFET |
| STS8N6LF6AG | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 4A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:1 |
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