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參數資料
| 型號： | STU6NA60 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 6.8AI（四）|對220VAR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | STU6NA60 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STU7NA60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR |
| STV0020 | TV/Video Signal Processor |
| STV0030 | TV/Video Signal Processor |
| STV0705 | General-Purpose Photodiode Array |
| STV12N20 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STU6NA90 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STU6NF10 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 100V-0.22ohms 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU70N2LH5 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 25V-0.006ohms 48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU75N3LLH6 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STU75N3LLH6-S | 功能描述:MOSFET N-channel 30 V 0.0042 ohm 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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