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參數資料
| 型號： | STW55NE10 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | ? - 100V的通道- 0.021ohm - 55A條- TO247 STripFET的功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | STW55NE10 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STH5N90 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5.3A I(D) | TO-218 |
| STH5N90FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-218VAR |
| STH65N05 | Modified TO-220 Balanced Three-chip SIDACtor« Device |
| STH65N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 37A I(D) | TO-218VAR |
| STH65N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 65A I(D) | TO-218 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STW55NM50N | 功能描述:MOSFET N-channel 500V, 54 A Power II Mdmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW55NM60N | 功能描述:MOSFET N-Channel 600V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW55NM60ND | 功能描述:MOSFET N-channel 600 V FDMesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW5630/JDR18BDR | 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules - 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態:過期 類型:- 顏色:- CCT（K）:- 波長:- 配置:- 通量 @ 電流/溫度 -測試:- 電流 - 測試:- 溫度 - 測試:- 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 不同測試電流時的流明/瓦:- 電流 - 最大值:- CRI（高顯色指數）:- 視角:- 特性:- 大小/尺寸:- 高度:- 發光面（LES）:- 透鏡類型:- 標準包裝:1 |
| STW5630/JDR18BRD | 制造商:Seoul Semiconductor 功能描述:DEV KIT - Bulk 制造商:Seoul Semiconductor 功能描述:Seoul Semiconductor STW5630/JDR18BRD Development Kits |
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