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參數資料
| 型號： | STW8N80 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| 中文描述： | N溝道增強型功率MOS晶體管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | STW8N80 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW8NB100 | N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm- 8A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
| STW8NB80 | N - CHANNEL 800V - 1.2ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
| STW8NC70Z | N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STW8NC80Z | N-CHANNEL 700V - 1.1 ohm - 7A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
| STW8NC90Z | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STW8N90K5 | 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247-3 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 |
| STW8NA60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STW8NA80 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
| STW8NB100 | 功能描述:MOSFET RO 511-STW11NK100Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW8NB80 | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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