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參數資料
| 型號： | STZT5400 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 120伏特五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|的SOT - 223 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | STZT5400 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STZT5550 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223 |
| STZT5551 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223 |
| SU10V-05050 | DROSSEL GLEICHTAKT 2FACH 5MH 0.5A |
| SU10V-15010 | DROSSEL GLEICHTAKT 2FACH 1MH 1.5A |
| SU10V-20006 | DROSSEL GLEICHTAKT 2FACH 0.6MH 2A |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STZT5401 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| STZT5550 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223 |
| STZT5551 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-223 |
| STZTA42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STZTA92 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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