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參數(shù)資料
型號: SUD19N20-90-T4-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 200V TO252
標準包裝: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 19A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫歐 @ 5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 帶卷 (TR)
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