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參數資料
型號: SUM110P06-08L-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 5/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 60V D2PAK
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 110A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 毫歐 @ 30A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9200pF @ 25V
功率 - 最大: 3.75W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263(D2Pak)
包裝: 標準包裝
其它名稱: SUM110P06-08L-E3DKR
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