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參數資料
型號: SUP40P10-43-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
標準包裝: 500
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 36A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 43 毫歐 @ 10A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4600pF @ 50V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220AB
包裝: 帶卷 (TR)
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