| 型號： | SUP60N02-4M5P-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 60A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 5950pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-220AB |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |